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漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT的研究(Ⅰ)——低压截止态泄漏电流的温度特性
提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流......
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